Содержание
- Полевые транзисторы
- Биполярные переходные транзисторы
- Парные биполярные транзисторы Дарлингтона
- N-канальный МОП-транзистор
Транзистор часто используется в качестве активного компонента в высокоскоростных усилителях и коммутаторах. Хотя внешний вид любых двух транзисторов данных одинаков, не все из них используют одну и ту же внутреннюю схему. Например, по сравнению с MOSFET транзистор с биполярным переходом, который предназначен для использования в паре Дарлингтона, будет вести себя по-разному, когда на него подается напряжение.
Полевые транзисторы
Транзисторы доступны в двух основных типах: полевые транзисторы и биполярные переходные транзисторы. Полевой транзистор является устройством, управляемым напряжением; в том, что он использует напряжение, приложенное к затвору для создания электрического поля. Это поле контролирует ток, протекающий через остальную часть транзистора.
Биполярные переходные транзисторы
Биполярный переходной транзистор - устройство с управлением по току. Когда между клеммами базы и эмиттера прикладывается перепад напряжения, между ними начинает протекать ток. Это позволяет транзистору пропускать ток через другие его клеммы.
Парные биполярные транзисторы Дарлингтона
«Пара Дарлингтона» - это электронная схема, которая используется для усиления сигнала переменного тока. Когда два транзистора с биполярным переходом соединены в схеме пары Дарлингтона, коэффициент усиления сигнала равен коэффициенту усиления первого транзистора, умноженному на коэффициент усиления второго. Если каждый транзистор способен усиливать сигнал в 100 раз больше входного напряжения, пара Дарлингтона может усилить входное напряжение до 10000 раз. С практической точки зрения усиление по напряжению никогда не будет превышать максимальный предел напряжения каждого отдельного транзистора; однако для небольших сигналов переменного тока схема из пары Дарлингтона может значительно увеличить размер сигнала. Биполярные переходные транзисторы, предназначенные для конкретной цели создания пары Дарлингтона, обычно называют «транзисторами Дарлингтона».
N-канальный МОП-транзистор
МОП-транзистор - это специальный тип полевого транзистора, который построен с использованием изоляции из оксида кремния между клеммами затвора и областью истока транзистора. В первых полевых МОП-транзисторах использовался металлический терминал для затвора, в котором полевой МОП-транзистор назывался «полевой транзистор на основе металл-оксидного полупроводника», или МОП-транзистор в качестве аббревиатуры. , В некоторых современных полевых МОП-транзисторах вместо металла используется затворная клемма, выполненная из поликристаллического кремния. N-канальный МОП-транзистор имеет область источника, легированную примесями N-типа, которая имплантирована в подложку р-типа. Когда на затвор подается напряжение, транзистор проводит ток через область источника, что позволяет подключить транзистор. Когда на клемме затвора нет напряжения, область перестает проводить ток, что приводит к отключению транзистора.